본문 바로가기

분류 전체보기56

정상상태(Steady-State) 슈뢰딩거 파동방정식 , 무한 전위우물(Potential Well)에 대한 파동방정식의 해(Solution) + 경계조건 ▶ 정상상태의 Schordinger 방정식 (Steady-State of Schordinger Wave Equation) 단순하지만 타당한 방정식이다. 앞선 글에서 우리는, 양자역학에서 파동함수 ψ 가 일반적인 운동변수 y에 해당한다 하고 플랑크 상수(E=hv) 와 데브로이의 물질파(λ=h/p=2πh/p)을 적용하여 전체 에너지가 E, 운동량이 P, +x방향으로 진행하는 자유입자의 파동을 기술한 식을 구하였다 이 식-1 에서, 변수( A, e )를 분리하여 식-2 을 유도한다 Schordinger의 시독립 방정식에서 'ψ ' 자리에 식-2를 대입한다 이제 식-3 에서 각 항을, e^-j(E/h)t 로 나누어 준다 변수를 분리하여 시간과 관계 없는 값 으로 만들어 주는 것이다 ▶ 전위우물(Potential.. 2023. 1. 26.
[1] 유기 반도체(Organic Semi-conductor)의 종류와 용도 ▶ 유기 반도체(Organic Semi-Con) 란? 기존의 실리콘인 무기물 반도체를 대체하는 유기화합물 기반의 반도체를 말한다 대부분 절연체 이며, 여러 유기물질의 종류를 활용하여 만들 수 있다 전자를 내기 쉬운 물질과 전자를 받아들이기 쉬운 물질의 두 종류를 합성하여 분자화합물을 만들 때 얻어지는 유기물 결정 구조를 가진 외인성(Extrinsic) 반도체 이다 ▷ 유기물(Organic Matter) 탄소와 탄소가 결합한 화합물이다. 물질을 분해하는 과정에서 에너지를 얻는다면 유기물, 그렇지 않으면 무기물 이라고 한다 ▷ 유기 화합물(Organic Compound) 유리, 다이아몬드 같은 전기가 통하지 않는 대표 절연체 이다 실리콘, 갈륨, 게르마늄 등의 광물과 같이 반도체로서의 성질을 가진 유기 화합.. 2023. 1. 25.
PCB, 배선 설계 ( Wiring Design ) ▶ 배선 ( Wiring ) 이란 ? 배선 ( Wiring ) 이란 전자회로에서 정보등을 전송하기 위해 부품의 단자들을 상호 연결해 기판에 도전성을 형성한 것이다 ▷ 배선 설계 드라이버(Driver) 에서 수신(Receiver) 측으로 신호라인(Signaling Line) 을 통해 정보가 전송될 때, 신호가 가지고 있는 성질을 유지하면서 내 외부적인 방해요소 없이 정확하게 정보를 전달할 수 있도록 단자를 결선 하는 것이다 ▷ 신호 라인(Signaling Line) 간읙 간섭의 발생 ▶ 배선 설계의 기본 레이아웃(Layout) 설계 혹은 패턴(Pattern)의 설계라고 보면 된다 라우팅(Routing) 이라고도 하고, 패턴의 폭(W) 은 일정하게 그리지만 정해진 규격은 없다 일반 신호 라인은 6~10 [m.. 2023. 1. 12.
파동함수의 규격화(Normalization), 슈뢰딩거 시독립(Schordinger Time-Dependent) 파동방정식 유도 고전적인 운동 방정식에서 입자의 위치나 운동량 같이 의미가 직관적으로 익숙하지만 슈뢰딩거의 파동 방정식은 추상적인 파동함수를 다루는데, 파동함수로부터 어떤 측정 결과의 확률분포를 가정할 수 있다. 전자를 파동으로 하여 전자의 상태를 구할 수 있다 ▶ 슈뢰딩거의 파동방정식 ( Time-dependent Schrodinger Wave Equation ) 양자역학 에서는 입자의 상태를 파동 함수(Wave Function) 으로 표현한다 물리학적 공간의 입자는 파동함수ψ(x, y, z, t)로 표현된다 ψ와 일차도함수 ψ'(=▽ψ) 는 연속(Continuous), 유한(Finite), 단일 값(Single Value) 을 갖는다 ▽ = 삼차원 미분 연산자 x, y, z 는 위치를 표현 , t 는 시간을 표현 한.. 2023. 1. 10.
산화물 반도체(Metal-Oxide Semi-Con) 의 종류와 용도 ▶ 산화물 반도체(Metal-Oxide Semi-Con) 란 ? 산화아연(Zinc Oxide), 산화인듐(Indium Oxide) 과 같은 산화물 소재에 Doping을 하여 전도성을 제어하고, 에너지 밴드갭(Eg)을 조절한 반도체 소재이다 일반적으로 넓은 밴드갭(Eg) 을 가져 에너지가 작은 가시광, 적외선을 흡수할 수 없다 가시광 영역(360 ~ 800nm) 에서 빛을 통과 시킨다 ▶ 산화물 반도체의 투명성(Transparency) 작은 에너지의 가시광이나 적외선과 같은 빛을 흡수하지 못하므로 가시광에 투명한 반도체 소자 개발이 가능 하다 가시광이 흡수되지 못하고 통과된다면 투명한 소재로 볼 수 있고 도핑(Doping)을 통해 전도성 타입을 변화 시킬 수 있고 전도도 조절도 가능 하다 ▷ 빛 에너지가 .. 2023. 1. 6.
MOSFET, 바디 이펙트(Body Effect, Threshold Modulation) MOSFET 에는 Source, Drain, Gate 3개의 소자만 있는 것이 아닌 Body를 포함한 4개의 소자로 이루어진다. 이 Body 에 전압을 인가함으로 Body Effect를 활용해 Vt(문턱전압) 을 조절한다. ▶ Body Effect 란 ? MOSFET, Substrate영역 즉 Body에 역방향 바이어스 음(-)의 전압(Vsb≠0)을 걸 시 Vt(문턱전압) 이 상승하는 현상이다. Body에 음(-)의 전압을 인가하면 , 양(+)의 정공들이 기판 아래로 이동할 것이다. 그렇다면 공핍영역(Depletion Region) 에는 음(-) 전자들이 많아 공핍층의 두꼐는 두꺼워진다. 그렇다면 Channel을 구성해야 하는 Vgate의 전압 즉 문턱전압(Vt)은 커질것이다. 즉 밑에 사진에서 보듯이 .. 2023. 1. 4.
728x90