회로 설계(Circuit Design)/MOSFET 증폭기 회로 해석4 MOSFET, 바디 이펙트(Body Effect, Threshold Modulation) MOSFET 에는 Source, Drain, Gate 3개의 소자만 있는 것이 아닌 Body를 포함한 4개의 소자로 이루어진다. 이 Body 에 전압을 인가함으로 Body Effect를 활용해 Vt(문턱전압) 을 조절한다. ▶ Body Effect 란 ? MOSFET, Substrate영역 즉 Body에 역방향 바이어스 음(-)의 전압(Vsb≠0)을 걸 시 Vt(문턱전압) 이 상승하는 현상이다. Body에 음(-)의 전압을 인가하면 , 양(+)의 정공들이 기판 아래로 이동할 것이다. 그렇다면 공핍영역(Depletion Region) 에는 음(-) 전자들이 많아 공핍층의 두꼐는 두꺼워진다. 그렇다면 Channel을 구성해야 하는 Vgate의 전압 즉 문턱전압(Vt)은 커질것이다. 즉 밑에 사진에서 보듯이 .. 2023. 1. 4. MOSFET, 채널 길이 변조 효과(Channel Lenth Modulation Effect) ▶ 채널 길이 변조 효과 (Channel Lenth Modulation Effect) 채널 길이 변조 효과란, 앞 MOSFET특성에서 배웟듯 Drain - Source 전압(Vds) 이 높아지고 낮아짐에 따라 채널의 길이가 변조되는 것을 의미한다. Long Channel 에서보다는, Short Channel 의 경우에 영향이 크게 나타난다 Vds가 커지면, Vgs에 의해 형성된 Channel길이(L)는 짧아지고 Pinch-off 현상이 발생했을 때 포화가 되야 하지만, 채널의 길이가 짧아짐에도 불구하고 Id 가 계속 증가한다 저항(R)은 너비가 넓을수록 길이가 짧아질수록 감소하기 때문에, Channel이 짧아지면 전류(Id)가 증가하기 때문이다 ▷ 채널 길이 변조 효과 식 우리가 알고 있던 포화식과 그래.. 2022. 12. 12. PSpice OrCad 를 사용한 MOSFET 실험 ▶ Model Library 설정 ( Mbreakn 우클릭 → Edit PSpice Model → 아래 모델 라이브러리 입력 ) ▷.model Mbreakn NMOS LEVEL=1 VTO=0.7 +GAMMA=0.45 PHI=0.9 NSUB=9E+14 +LD=0.08E-6 UO=150 LAMBDA=0.1 +TOX=5.75E-9 PB=0.9 CJ=0.56E-3 +CJSW=0.35E-11 MJ=0.45 MJSW=0.2 +CGDO=0.4E-9 JS=1.0E-8 ※ W=10u, L=0.5u ※ ▷VTO : 제로 바이어스시 문턱전압 GAMMA : Bulk Threshold 파라미터 PHI : Surface 전위 UO : Mobility(이동도) TOX : 게이트 산화막 두께 PB ; Bulk 접합 전위 CJ : Z.. 2022. 8. 24. MOSFET I-V 특성 및 동작 FET(Field Effect Transistor) JFET(Junction Effect Transistor) and MOSFET(Metal-Oxide-Semi Effect Transistor) and MESFET Enhencement(증가형) MOSFET and Depletion(공핍형) MOSFET - MOSFET 을 쓰는 이유 ( Compared to BJT ) 보다 작은 영역, 간단한 과정, 저전력 그리고 대부분의 VLSI들은 MOS의 기술을 이용한다. - MOSFET의 구조 (MOSFET Structure) ▷ 4개의 터미널 : D(drain), G(gate), Source(S), Body(B) 로 이루어져 있다. ▷ S&D는 대칭으로 이루어져 있다, S&D can be interchanged .. 2022. 7. 16. 이전 1 다음 728x90
