MOSFET, 바디 이펙트(Body Effect, Threshold Modulation)

 

 

MOSFET 에는 Source, Drain, Gate 3개의 소자만 있는 것이 아닌 Body를 포함한 4개의 소자로

이루어진다. 이 Body 에 전압을 인가함으로 Body Effect를 활용해 Vt(문턱전압) 을 조절한다.

 

 

 

▶ Body Effect 란 ?

 

MOSFET, Substrate영역 즉 Body에 역방향 바이어스 음(-)의 전압(Vsb≠0)을 걸 시

Vt(문턱전압) 이 상승하는 현상이다.

 

 

Body에 음(-)의 전압을 인가하면 , 양(+)의 정공들이 기판 아래로 이동할 것이다.

그렇다면 공핍영역(Depletion Region) 에는 음(-) 전자들이 많아 공핍층의 두꼐는 두꺼워진다.

 

그렇다면 Channel을 구성해야 하는 Vgate의 전압 즉 문턱전압(Vt)은 커질것이다.

즉 밑에 사진에서 보듯이 Vsb 가 커질수록 Vt 는 커진다

 

Vsb가 증가한다는 건, Body에 많은 음(-)의 전압을 인가한다는 것이고

그 인가된 전압이 클수록 Vt(문턱전압) 또한 커진다는 이야기이다.

 

 

 

▶ Body Effect 를 고려한, Vt 식