▶ Model Library 설정 ( Mbreakn 우클릭 → Edit PSpice Model → 아래 모델 라이브러리 입력 )
▷.model Mbreakn NMOS LEVEL=1 VTO=0.7
+GAMMA=0.45 PHI=0.9 NSUB=9E+14
+LD=0.08E-6 UO=150 LAMBDA=0.1
+TOX=5.75E-9 PB=0.9 CJ=0.56E-3
+CJSW=0.35E-11 MJ=0.45 MJSW=0.2
+CGDO=0.4E-9 JS=1.0E-8
※ W=10u, L=0.5u ※
▷VTO : 제로 바이어스시 문턱전압
GAMMA : Bulk Threshold 파라미터
PHI : Surface 전위
UO : Mobility(이동도)
TOX : 게이트 산화막 두께
PB ; Bulk 접합 전위
CJ : Zero-bias시 Bulk접합의 단위면적당 캐패시턴스
CJSW : Zero-bias시 Bulk접합부의 옆면에서의 단위길이당 캐패시턴스
MJ ; Bulk접합 부위의 경사 계수
MJSW : Bulk접합부의 옆면에서의 경사 계수
CGDO ; Gate-Drain간 채널폭에 단위길이당 캐패시턴스
JS ; Bulk접합의 단위면적당 포화전류
▶ 실험 Ⅰ, 전류(Id) 측정
▷ Vgs를 0~3[V] 까지 증가시, 0.7[V]에서부터 대전류 Id가 흐르는 것을 볼 수 있다 ( 밑에 파형 결과 참고 )
그전 Model Library 에서 VTO(문턱전압) 의 값을 0.7[V] 로 설정 하였기 때문이다.
▶ 실험 Ⅱ, Vds 시뮬레이션
▷ 회로도는 위와 동일하고, Vgs를 0~3[V] 까지, Vds는 1~3[V] 까지 증가시킨다 하면
아래와 같은 그래프가 나온다.
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