[2] 웨이퍼 공정(Wafer Process), among Eight Semiconductor Process

 

 

 

▶ Ingot Growing, 잉곳 성장

 

 

[1] 퍈 에서 배웠듯, CZ(Czochralski) 성장법 을 이용해 도가니 안에 있는 다결정 실리콘을

녹여 단결정 잉곳으로 성장시킨 다음 Seed로 뽑아올려 잉곳(Ingot)을 만든다 

 

ingot Growing, 잉곳 성장

 

 

 

 

 

 

▶ Wafer Round Grinding & Slicing, 웨이퍼 라운딩 & 잉곳 절단

 

 

만들어진 잉곳(Ingot) 의 울퉁불퉁한 표면을 갈아내어 다듬고 연마를 하여 균일한 두께 로 맞춰 준다.

회사마다 다르긴 하지만 잉곳(ingot) 이 n형 인지 p형인지 표시를 해준다

 

이 잉곳을 다이아몬드 톱(Diamond Blade)이나 와이어(Wire)를 이용해 잘라내면 웨이퍼(Wafer) 가 된다.

 

 

Wafer Round Grinding

Slicing

 

 

 

 

▶ Edge Grinding, 엣지 그라인딩

 

 

직각의 웨이퍼 테두리를 둥근 형삭으로 연삭 하는 과정이다. 즉 잉곳(Ingot)에서

절단된 90'에 가까운 웨이퍼 모서리 부분을  Diamond Wheel 로 둥글게 깍아준다

이는 외부 충격으로 인한 파손 위험을 줄여준다.

 

Edge Grinding

 

 

 

 

 

▶ Lapping & Etching 

 

 

무거운 선정반과 하정반 사이에 웨이퍼(Wafer)를 넣은 뒤 연마제와 함께 압력을 가해주며

반대 방향으로 회전시켜 웨이퍼가 평편하게 될 수 있도록 해주는 공정 이다.

 

그리고, 기계적 가공에 의해 손상된 웨이퍼 표면을 화학 용액으로 제거해 준다.

표면이 울퉁불퉁 한 것을 광을 내주는 공정이다.

 

Lapping & Etching

 

 

 

 

 

▶ RTP(Rapid Thermal Process)

 

수 초 이내 짧은 시간에 웨이퍼를 급속히 가열 하여 웨이퍼 오염물질을 제거 한다.

내부에 청결함을 균일하게 하고 분순물 제거로 반도체 이상을 막아준다.

 

RTP(Rapid Thermal Process) 장비

 

 

 

 

 

▶ Polishing

 

화학적 반응과 기계적 가공을 동시에 진행하여 웨이퍼 최종 평탄도를 확보한다.

기스난 곳을 광을 내는 원리라고 보면은 된다.

 

 

 

 

 

 

▶ Clining & Inspection

 

웨이퍼 표면 분순물을 제거, 최종 세척 과정을 마치고

여러 가지 검사(inspection)를 끝마치면 드디어 웨이퍼(Wafer)가 완성된다.

 

실리콘 웨이퍼(Si, Wafer)